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颜世申

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授权专利及申请专利目录

发布日期:2018-01-19   点击量:

[1] 磁性增强的H掺杂MnGe磁性半导体薄膜,专利号ZL200810014729.9,授权日2010年6月9日,发明人 颜世申、姚新欣、乔瑞敏、秦羽丰、孙毅彦、陈延学、刘国磊、梅良模。

[2] 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法,专利号 ZL200710115811.6,授权日 2010年3月24日,发明人 颜世申、陈延学、刘国磊、梅良模、田玉峰、乔瑞敏。

[3] 非匀质Zn-Co-O磁光薄膜及其制备方法,专利号 ZL 200610043854.3,授权日2010年5月12日,发明人 陈延学、颜世申、张云鹏、刘国磊、梅良模。

[4] 非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜的制备方法,专利号 ZL200510043640.1,授权日 2007年11 月21日,发明人 颜世申、陈延学、宋红强、刘国磊、梅良模。

[5] 亚纳米复合制备氧化锌基磁性半导体材料的方法,专利号 ZL 03139039.0,授权日 2006年4 月26日,发明人 梅良模、颜世申、陈延学、任妙娟、季刚。


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